从上述两种潮敏元器件的失效现象来看，虽然都表现为分层问题，但产生的原因并不完全相同。QFN元器件的分层主要由应力主导，潮敏和炉温等因素为辅；而高分子钽电解电容的分层则主要与物料受潮有关。根据IPC-J-STD-020标准，不同状态的分层接受程度不同，主要通过信赖性测试来判断其是否影响性能。

1.QFN封装元器件分层

通过实验验证，采用E-PAD（热沉焊盘）不焊接或替换为SnPb焊料，可以有效解决QFN元器件的分层问题。分析认为，E-PAD焊接后会产生裂纹，而SnPb焊料的焊接温度低，热应力更小。因此，QFN元器件的分层问题主要是由应力引起的，潮敏和炉温等因素起到了辅助作用。

2.高分子钽电容锡珠

高分子钽电容的锡珠现象是其受潮后的显性表现。受潮物料在高温再流焊后，内部高分子材料容易产生裂纹，导致锡珠溢出。因此，解决该问题的关键在于避免物料受潮。

1.QFN分层问题改善

元器件改善：增加PAD（焊盘）的法兰盘尺寸，增强焊盘结合强度。

工艺改善：优化钢网开孔方式，不焊接中间焊盘，或采用有铅焊接，改变应力分布状态。

2.高分子钽电容锡珠问题改善

保持原包装上线：尽可能在车间暴露寿命时间内加工完成。

超出暴露寿命时间的物料处：若无法烘烤重置车间寿命，需厂家配合烘烤。

车间管控：避免拆除原包装等操作，规避物料受潮风险。

• 潮敏元器件的分层失效并非完全由受潮导致，还可能与应力、焊接工艺等因素有关。

• 分层问题并非都不可接受，需根据标准和信赖性测试结果判断其对性能的影响。

• 潮敏元器件的失效问题往往是多种因素共同作用的结果，需要综合分析并采用多种改善手段解决。

• 非IC物料也可能存在潮敏问题，同样需要进行严格管控。

• 对于受潮后的高分子钽电容，虽然适当烘烤可以减少失效几率，但仍存在分层失效风险，不建议二次使用。