CDM（Charged Device Model）是一种用于评估电子元件在静电放电（ESD）条件下的敏感度的测试模型。与HBM（Human Body Model）和MM（Machine Model）不同，CDM模型关注的是电子元件在制造或运输过程中可能积累的电荷。当这些元件接触到地或其他导体时，电荷会迅速释放，形成快速的电流脉冲。

CDM测试通常包括一个充电板和一个可以移动到待测元件（DUT）引脚之间的接地探针。测试设备的设计允许模拟实际使用中可能遇到的静电放电情况。测试的标准和要求随着技术的发展而不断更新，以适应IC芯片性能的提升和封装尺寸的增大。

实际测试各模块

随着IC技术的进步，特别是对于更高速的IO性能的需求，维持推荐的CDM级别变得越来越具有挑战性。由于不同测试仪器的充电电阻存在差异，CDM目标级别可能需要根据ESD协会的建议进行调整。金鉴实验室意识到这一点，并致力于帮助客户评估其产品在面对静电放电时的表现。

1. IC元件的引脚数和封装尺寸的显著增长，导致在相同预充电压下，峰值电流限制了芯片的CDM能力。

2. IC工艺技术的进步，随着工艺尺寸的减小，CDM能力降低，因为更小的有源器件和更薄的金属互连降低了ESD电路的稳健性。

3. 高速数字、射频模拟和其他性能敏感引脚的混合信号IC的普及，要求在ESD保护和射频功能之间找到平衡。

CDM ESD目标级别的分布预期的变化