聚焦离子束技术，简称FIB，是一种利用聚焦的离子束对材料表面进行微米至纳米级加工的技术。该技术通过电透镜系统将离子束精确聚焦，实现对材料的精确剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的快速发展，FIB技术已成为纳米尺度制造业中不可或缺的核心工艺。

FIB技术与高分辨率的扫描电子显微镜（SEM）等设备结合使用，为纳米级分析和制造提供了强大的工具。它广泛应用于微纳加工、离子注入、材料切割以及故障分析等领域，是解决微纳米级产品缺陷的关键技术。

1. 微纳米级缺陷分析：FIB技术能够精确地定位并切割产品表面的微小缺陷，如异物、腐蚀或氧化等，制备截面样品，并通过SEM观察缺陷与基材的界面情况。

2. 薄膜结构观察：对于经过表面处理形成的微米级薄膜样品，FIB技术可用于切割制样，以观察薄膜的结构和与基材的结合程度。

3. 样品制备注意事项：FIB技术对样品有一定的要求，包括样品尺寸、导电性、磁性等，以确保加工过程的顺利进行和设备的安全。为了方便大家对材料进行深入的失效分析</svg>");">及研究，金鉴实验室具备Dual Beam FIB-SEM业务，包括透射电镜( TEM)样品制备，材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析等。

• 样品尺寸应控制在5×5×1cm以内，对于过大的样品需要进行切割取样。

• 样品需要具备导电性，不导电的样品应通过喷金等方式增加导电性。

• 样品不得带有磁性，以避免对设备造成干扰。

• 对于颗粒样品，在进入设备前应检查其制备情况，确保符合标准，防止设备损伤。

• 切割深度建议控制在50微米以内，以保证样品的完整性和加工的精确性。

1. 微米级缺陷样品截面制备：利用FIB技术制备微米级缺陷样品的截面，为进一步的分析提供基础。

2. PCB电路分析：在PCB电路断裂位置，FIB技术结合离子成像技术，可以观察铜箔的金相结构，为故障分析提供重要信息。