技术指标与配置：

• 功能：具备平面大面积离子抛光、横截面离子抛光及高精度离子束镀膜，全面解决高端场 发射电镜所有制样需求；

• 离子枪角度：0°到 + 18°，每只离子枪可独立调节；

• 离子枪束能量：0.1keV~8keV , 可在不同电压下自动优化离子束束流；

• 最大有效抛光区域面积：平面抛光区域直径约1~1.5mm，横截面约1~2mm（宽）×500μm（深）；
  

• 最大样品尺寸：直径32mm×高15mm（平面抛光）；长宽10mm×10mm  （截面抛光）； 

• 冷台部分：带有液氮冷台，以及精确控温系统，一次加注液氮续航能力6-8小时；

• 耙材装置：同时安装两种靶材，铬靶、碳靶。

优势：

具备样品切割和抛光两项功能；配温控液氮冷却台，去除热效应对样品的损伤，有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化；配碳/铬镀膜，对于同一个样品，可在同一真空环境下完成抛光及镀膜，防止样品氧化，可以用于SEM/FIB导电镀膜样品制作。

氩离子切割制样是利用氩离子束（〜1mm）来切割样品，以获得相比FIB制样（通常十几微米）面积更大的电子显微分析区域。其制样原理是用一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域，有效的遮蔽了下半部分的离子束，创造出一个侧切割平面，去除样品表面的一层薄膜。

氩离子抛光技术又称CP截面抛光技术，是对样品表面进行抛光，去除损伤层，从而得到高质量样品，用于在SEM，光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

针对不同的样品的硬度，设置不同的电压、电流、离子枪的角度、离子束窗口，控制氩离子作用的深度、强度、角度、这样较精准的参数，有利于制备成研究者理想的材料样品，这样的样品不仅表面光滑无损伤，而且还原材料内部的真实结构。

样品粘贴在样品载台上的一个独特的llion+样品挡板上，便于使样品准确的定位。系统筒化操作，使样品可以重复插入样品台。

相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点：

1.对由硬材料和软材料组成的复合材料样品，能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。

2.比FIB方法的抛光面积更大（~1mm以上）。

1. 送样前需要对样品进行预处理：样品预磨抛，样品要磨平，样品的上下表面要平行，样品抛光面至少用4000目砂纸磨平，在显微镜下看起来光滑，不粗糙。

2. 样品的尺寸要求：

• 块状样品：以待抛光区域为中心点，样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）

• 粉末样品：10g以上。
  

（注：具体的样品要求可咨询在线业务！）

1.平面抛光样品台

平面抛光的样品尺寸要求:

块状样品：以待抛光区域为中心点，样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）

2.截面抛光样品台

截面抛光样品尺寸要求：不超过挡板大小即可，但抛光区域大概只有档板中线区域的1mm。     

1.金属结合面

2.锂电池石墨电极截面观察

3.锂电池石墨颗粒平面抛

4.线路板截面抛光

5.芯片N极截面抛光

6.支架镀层二焊点截面抛光

7.支架镀层结构截面抛

8.页岩抛光

9.样品抛光后显示出高度孪晶的晶粒

10.抛光后的锆合金</svg>");">的菊池花样

11.EBSD欧拉角</svg>");">分布图

12.IPFZ 面分布