LED芯片原理与基础知识大全

于 2024-07-29 12:26:55 发布 181 阅读 0 评论

一、LED发展简史


<svg viewbox="0 0 1 1" style="float:left;line-height:0;width:0;vertical-align:top;"></svg>

早在半个世纪前,人们就已认识到半导体材料能发出光。1962年,通用电气公司的尼克·何伦亚克</svg>");">(Nick Holonyak Jr.)成功研发了首个实际应用中的可见光发光二极管。LED,即发光二极管,是一种将电能转换为光能的半导体器件。其基本构造包括一块电致发光</svg>");">的半导体材料,封装在带有引线的支架中,并用环氧树脂封闭,形成固态封装,从而提供良好的抗震性能。

最初,LED主要用作仪器指示灯。随着技术进步,LED在交通信号灯和大面积显示屏等领域得到广泛应用,带来了显著的经济和社会效益。例如,12英寸的红色交通信号灯,传统上使用140瓦的白炽灯,经过红色滤光片后,光效损失90%。而新型设计中,使用18个红色LED作为光源,总功耗仅为14瓦,却能达到相同的光效。汽车信号灯也是LED应用的重要领域。

二、LED芯片原理


<svg viewbox="0 0 1 1" style="float:left;line-height:0;width:0;vertical-align:top;"></svg>

LED是一种固态半导体器件,能够将电能直接转换为光能。其核心是一个半导体晶片,一端连接负极,另一端连接正极,整个晶片被环氧树脂封装。半导体晶片由P型和N型半导体</svg>");">组成,P型半导体中空穴占主导地位,而N型半导体中电子占主导地位。当电流通过时,电子被推向P区,与空穴复合并发射光子,从而产生光。光的颜色取决于P-N结材料的波长

1.发光原理


2.芯片内部结构图


三、芯片的分类


<svg viewbox="0 0 1 1" style="float:left;line-height:0;width:0;vertical-align:top;"></svg>

1. MB芯片

定义:金属粘着芯片,属于UEC</svg>");">专利产品。

特点:使用高散热系数的硅作为衬底,散热效果好。通过金属层接合磊晶层和衬底,反射光子,减少吸收。导电的硅衬底取代GaAs衬底,热传导能力更强。底部金属反射层有助于提升光度和散热。尺寸可加大,适用于高功率领域。

2. GB芯片:

定义:粘着结合芯片,属于UEC专利产品。

特点:透明蓝宝石衬底,出光功率高。芯片四面发光,图案效果出色。亮度高,但耐高电流稍差。

3. TS芯片:

定义:透明结构芯片,属于HP专利产品。

特点:工艺复杂,可靠性高。透明GaP衬底,亮度高。

4. AS芯片:

定义:吸收结构芯片,台湾LED光电业界开发成熟。

特点:四元芯片,亮度高。可靠性优良,应用广泛。

四、材料磊晶种类


<svg viewbox="0 0 1 1" style="float:left;line-height:0;width:0;vertical-align:top;"></svg>

1. LPE液相磊晶法,用于GaP/GaP。

2. VPE:气相磊晶法,用于GaAsP/GaAs。

3. MOVPE:有机金属气相磊晶法,用于AlGaInP、GaN。

4. SH:单异型结构GaAlAs/GaAs。

5. DH:双异型结构GaAlAs/GaAs。

6. DDH:双异型结构GaAlAs/GaAlAs。

五、组成及发光


<svg viewbox="0 0 1 1" style="float:left;line-height:0;width:0;vertical-align:top;"></svg>

1. LED晶片的组成:主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)等元素组成。

2. LED晶片的分类:

按发光亮度分:一般亮度(如R、H、G、Y、E等)、高亮度(如VG、VY、SR等)、超高亮度(如UG、UY、UR、UYS、URF、UE等)、不可见光(如红外线R、SIR、VIR、HIR)、红外线接收管(如PT)、光电管(如PD)。

按组成元素分:二元晶片(如磷、镓,如H、G等)、三元晶片(如磷、镓、砷,如SR、HR、UR等)、四元晶片(如磷、铝、镓、铟,如SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG)。


点赞(0)

评论列表 共有 0 条评论

暂无评论

微信小程序

微信扫一扫体验

立即
投稿

微信公众账号

微信扫一扫加关注

发表
评论