在半导体故障失效分析的过程中，光发射显微镜（EMMI）是一种关键的故障点定位工具。这种设备通过检测电子-空穴复合和热载流子释放的光子，帮助识别半导体元件中的缺陷。传统的EMMI设备使用冷却式电荷耦合元件（C-CCD）传感器，能够探测400nm至1100nm波长的光子，覆盖了可见光和部分红外光的光谱。
仪器特点：
①InGaAs采集相机，在近红外区域具备高灵敏度；
②分辨率高；
③多倍率图像采集：5X~100X；
④超低温电制冷降低暗电流带来的信噪；
⑤电制冷/空气冷却自由转换。
应用范围：
①LED故障分析
②太阳能电池评估
③半导体失效分析
④EL/PL图像采集
⑤光通信设备分析
检测到亮点的情况：
引起热点的缺陷：会产生亮点的缺陷-漏电结；接触毛刺；热电子效应；闩锁效应；氧化层漏电；多晶硅晶须；衬底损伤；物理损伤等。
原本存在的亮点：饱和/有源双极晶体管、饱和MOS/动态CMOS、正向偏置二极管/反向偏置二极管（击穿）。
无法检测到亮点的情况：
无光点的缺陷、欧姆接触、金属互联短路、表面反型层和硅导电通路等。
四案例分析
1、客户送样漏电LED蓝光芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片正极电极位置检测到异常点。
2、客户送样漏电LED蓝光倒装芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点，并观察到击穿形貌。
3、客户送样漏电LED红光垂直芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点。
4、客户送样硅基芯片，通过InGaAs EMMI测试在芯片位置可检测到异常点。
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